Durante los últimos años hemos asistido a un importante avance tecnológico en el negocio de los smartphones. Los componentes de estos dispositivos electrónicos han evolucionado de forma notoria. No tenemos más que analizar elementos como las pantallas, que han pasado de tamaños y resoluciones ínfimas a un display con más de cinco pulgadas y 2.560 x 1.440 píxeles. Las cámaras también han sido objeto de una importante mejora en calidad fotográfica, además de la consecución de grabación de vídeo a 4K. Tampoco escapan al avance tecnológico los procesadores, de los que actualmente podemos ver chips con ocho núcleos a velocidades de trabajo superiores a los 2.5 GHz y potentes GPU integradas. Sin embargo, la memoria interna de los teléfonos y tabletas no han experimentado un avance tan significativo.
Se llama memoria RRAM
Esto estaría a punto de cambiar gracias a la investigación llevada a cabo por un grupo de científicos de la Universidad Rise, en Texas, que han logrado fabricar chips RRAM del tamaño de un sello con una densidad de almacenamiento 50 veces superior a la que ofrecen las memorias NAND flash.
El secreto ha sido el hallazgo de una estructura de óxido de silicio que combinada con metales como el oro o la plata constituyen un módulo de memoria más eficiente y rápido que las actuales memorias flash. El fundamento es relativamente sencillo puesto que se basa en las propiedades dieléctricas del silicio y el campo eléctrico generado por dos bornes metálicos. Y es que las oquedades presentes en el óxido de silicio sirven de “pasarela” de las corrientes eléctricas generadas por los polos. Este paso de corriente se puede convertir en un sistema binario con el que interpretar ceros y unos.
Sin embargo, el verdadero descubrimiento que hace realmente interesante la tecnología RRAM es la pequeña diferencia de potencial necesaria, unos dos voltios, que hacen de esta memoria un chip muy eficiente. Asimismo, la base de su funcionamiento deriva en unas velocidades de lectura y escritura muy por encima de lo visto actualmente, incluso en los SSD. Por tanto, además de eficiente, la memoria RRAM será especialmente rápida, lo cual se traduce en transferencias de datos más “fluidas”. Como ya hemos dicho anteriormente, otra de las virtudes de este tipo de memoria es la alta densidad, ya que se pueden almacenar hasta nueve bits por célula. Esta característica hace que la memoria RRAM sea hasta 50 veces más densa y de ahí que sea posible incluir hasta 1 TB de capacidad en un chip que no ocupa más que un sello de correos.
…y más económica
Por si fuera poco, la fabricación de este chip de memoria no requiere una cadena de producción muy sofisticada. Este detalle y la abundancia del silicio hace que su producción sea especialmente económica, tanto que varios fabricantes ya se han interesado por esta tecnología para registrarla y utilizarla en sus dispositivos electrónicos. Por tanto, no debemos sorprendernos si en los próximos años la capacidad de almacenamiento de las futuras generaciones de smartphones y tabletas se multiplica por 50 hasta alcanzar 1 TB, 1024 GB.
Fuente: omicrono
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